Йонг Ксай (Yong Xie), Пол Брохлин (Paul Brohlin)
Объединение полевых GaN-транзисторов с их драйверами упрощает конструкции силовых каскадов на основе GaN-транзисторов.
Транзисторы на основе нитрида галлия (GaN) могут переключаться намного быстрее, чем кремниевые полевые МОП-транзисторы, и таким образом способны обеспечить меньшие потери на коммутацию. Однако при высоких скоростях нарастания сигнала определенные типы корпусов могут ограничивать коммутационные характеристики полевых GaN-транзисторов. Объединение GaN-транзистора с драйвером в одном корпусе уменьшает паразитные индуктивности и оптимизирует коммутационные характеристики. Объединение с драйвером также позволяет реализовать защитные функции.