Высокоточный изолированный Дельта-Сигма модулятор для промышленных применений от Renesas

Компания Renesas , ведущий поставщик современных полупроводниковых решений, объявила о выпуске оптически изолированного дельта-сигма (ΔΣ) модулятора RV1S9353A. Он обеспечивает наивысшую точность по сравнению с другими оптически изолированными устройствами с тактовой частотой 10 МГц. Изделие включает в себя прецизионный аналого-цифровой преобразователь аналогового входного напряжения в однобитный поток данных, поступающих на цифровой выход через изолирующий барьер. RV1S9353A подключается напрямую к любым микроконтроллерам, SoC и FPGA с цифровым фильтром.

Компания Renesas , ведущий поставщик современных полупроводниковых решений, объявила о выпуске оптически изолированного дельта-сигма (ΔΣ) модулятора RV1S9353A. Он обеспечивает наивысшую точность по сравнению с другими оптически изолированными устройствами с тактовой частотой 10 МГц. Изделие включает в себя прецизионный аналого-цифровой преобразователь аналогового входного напряжения в однобитный поток данных, поступающих на цифровой выход через изолирующий барьер. RV1S9353A подключается напрямую к любым микроконтроллерам, SoC и FPGA с цифровым фильтром.

images/products/renesas/news/20200805/Высокоточный изолированный Дельта-Сигма модулятор для промышленных применений от Renesas

RV1S9353A используется в контроллерах роботов-манипуляторов, а также в сервоприводах переменного тока и сервоконтроллерах станков с ЧПУ. Он обеспечивает малый дрейф напряжения смещения, более высокое отношение сигнал-шум (SNR), высокое входное сопротивление и опторазвязку на 5 кВ (среднеквадратичное) при изоляционном барьере 8 мм. Новое изделие идеально подходит для компактного оборудования с электроприводом на 200 и 400 В. Входное сопротивление 500 кОм делает возможным как измерение тока, так и напряжения.

Основные характеристики ΔΣ модулятора RV1S9353A

  • Температурный дрейф напряжения смещения, макс. - 2. мкВ/°C
  • SNR (типовое) 85дБ
  • Эффективная разрядность преобразования (ENOB) = 13.8 бит
  • Температурный дрейф встроенного ИОН, макс. - 30ppm/°C
  • Входное сопротивление 500 кОм
  • Диапазон рабочих температур от -40°C до 110°C
  • 8-выводный корпус для поверхностного монтажа с шагом выводов 1,27 мм.

 

Структурная схема модулятора RV1S9353A:

images/products/renesas/news/20200805/Структурная схема модулятора RV1S9353A

Вариант схемы применения RV1S9353A для измерения тока:

Вариант схемы применения RV1S9353A для измерения тока

 

Смотреть дополнительные материалы > даташит RV1S9353A

Информацию по доступности дельта-сигма (ΔΣ) модулятора RV1S9353A, а также по образцам и коммерческим условиям можно получить по телефонам или почте This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it. . Мы будем рады Вам помочь!

Gruner
Micro Crystal AG



Оставить заявку