Микросхемы MRAM-памяти
Высокоэффективная магниторезистивная память с произвольным доступом и SPI-интерфейсом
MRAM-технология совмещает достоинства технологии Flash (длительное хранение данных при отключенном питании) и технологии RAM (быстрое время записи/чтения данных и неограниченное число циклов перезаписи). MRAM-память, являясь памятью с произвольным доступом, обеспечивает не менее чем 10 16 циклов перезаписи и хранение данных в течении 20 лет при температуре до 85°C.
Микросхемы поддерживают работу с интерфейсами QSPI, DDR (54 МГц) и SDR (108 МГц)
Микросхемы обеспечивают как аппаратную, так и программную защиту данных.
Микросхемы имеют 64-битный неизменяемый идентификационный номер, а также 64-битное поле для записи идентификатора пользователя. Предусмотрен также дополнительный 256-байтовый сегмент памяти пользователя с защитой от перезаписи.
Характеристики энергопотребления:
- Режим Standby – 160 мкА
- Режим Deep Power Down – 1,2 мкА
- Режим Hibernate – 0,1 мкА
- Активный режим, чтение – 19 мА
- Активный режим, запись – 38 мА
- Микросхемы MRAM-памяти доступны в 8-выводных корпусах DFN (5х6 мм) и SOIC (5,2х5,2 мм).
В серию микросхем MRAM-памяти от Ренесас входят следующие изделия:
Напряжение питания 1,8В: M1004204/M1008204/M1016204 (4/8/16 Мбит)
Напряжение питания 3,3В: M3004204/M3008204/M3016204 (4/8/16 Мбит)