Каталог продукции Renesas

Высокоэффективная магниторезистивная память с произвольным доступом и SPI-интерфейсом

Микросхемы MRAM-памяти

MRAM-технология совмещает достоинства технологии Flash (длительное хранение данных при отключенном питании) и технологии RAM (быстрое время записи/чтения данных и неограниченное число циклов перезаписи). MRAM-память, являясь памятью с произвольным доступом, обеспечивает не менее чем 10 16 циклов перезаписи и хранение данных в течении 20 лет при температуре до 85°C.

Микросхемы поддерживают работу с интерфейсами QSPI, DDR (54 МГц) и SDR (108 МГц)

Микросхемы обеспечивают как аппаратную, так и программную защиту данных.

Микросхемы имеют 64-битный неизменяемый идентификационный номер, а также 64-битное поле для записи идентификатора пользователя. Предусмотрен также дополнительный 256-байтовый сегмент памяти пользователя с защитой от перезаписи.

Характеристики энергопотребления:

  • Режим Standby – 160 мкА
  • Режим Deep Power Down – 1,2 мкА
  • Режим Hibernate – 0,1 мкА
  • Активный режим, чтение – 19 мА
  • Активный режим, запись – 38 мА
  • Микросхемы MRAM-памяти доступны в 8-выводных корпусах DFN (5х6 мм) и SOIC (5,2х5,2 мм).

В серию микросхем MRAM-памяти от Ренесас входят следующие изделия:

Напряжение питания 1,8В: M1004204/M1008204/M1016204 (4/8/16 Мбит)

Напряжение питания 3,3В: M3004204/M3008204/M3016204 (4/8/16 Мбит)

Оставить заявку